2026年6月8日，哈尔滨温向津电子科技有限公司碳化硅（SiC）功率器件生产线投产仪式在公司生产基地隆重举行。来自政府主管部门、行业协会、合作高校、上下游企业代表共50余人出席仪式，共同见证了这一重要时刻。

该生产线总投资约2000万元，引进先进SiC器件生产设备，涵盖晶圆测试、芯片划片、贴片焊接、引线键合、模塑封装、测试分选等全套工艺流程。整线设计年产能50万只SiC肖特基二极管，满产后预计年新增产值5000万元。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大（3.26eV）、临界击穿电场高、热导率高等优异特性，在高温、高频、高功率应用场景下优势显著，是新能源汽车、光伏储能、5G通信等新兴产业的核心元器件。目前全球SiC器件市场由少数国际巨头主导，国产化率不足20%，国产替代空间巨大。

技术总监李明辉博士在仪式上表示："公司SiC生产线从立项到投产仅用了8个月时间，技术团队攻克了SiC芯片贴装焊接工艺、高温封装可靠性等多个关键技术瓶颈，产品性能指标已达到国际同类产品水平。这是温向津电子战略布局宽禁带半导体领域的重要一步。"

据悉，该生产线首批下线的650V/1200V SiC肖特基二极管已通过多家客户样品测试，反馈良好。公司计划在2027年进一步扩建SiC MOSFET生产线，形成覆盖二极管和晶体管的完整SiC器件产品矩阵。