功率MOSFET晶体管
功率MOSFET晶体管是温向津电子基于先进沟槽工艺平台开发的电压控制型功率开关器件，具有高开关速度、低栅极电荷、易于并联等突出优点。产品覆盖中低压到高压全系列，适用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动等高频开关应用。
Power MOSFET Transistor
该系列产品采用电荷平衡和屏蔽栅极技术，在保证低导通电阻的同时实现了优异的开关性能。N沟道产品覆盖30V至900V，P沟道产品覆盖-20V至-200V，导通电阻低至1.8mΩ（TO-220封装），满足高效率功率转换需求。
器件采用先进的晶圆减薄和背面金属化工艺，有效降低封装热阻。产品通过100%雪崩测试和栅极可靠性测试，适用于汽车电子、工业电源、通信电源等对可靠性要求苛刻的高端应用场景。
| 漏源电压VDSS | 30V - 900V（N沟道） |
|---|---|
| 导通电阻RDS(on) | 1.8mΩ - 850mΩ |
| 连续漏极电流ID | 最高260A |
| 栅极电荷Qg | 3.5nC - 260nC |
| 开关速度 | 纳秒级 |
| 工作结温Tj | -55°C ~ +175°C |
| 封装形式 | TO-220 / TO-247 / TO-263 / DFN / SMD |
超低导通电阻，大幅降低导通损耗
纳秒级开关速度，支持MHz级高频应用
易于并联，灵活扩展功率等级
通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子
