2026年5月20日，哈尔滨温向津电子科技有限公司与哈尔滨工业大学产学研合作签约暨"功率半导体器件联合实验室"揭牌仪式在哈工大科学园举行。哈尔滨工业大学副校长、电子与信息工程学院院长、科研院相关负责人，温向津电子总经理张建国、技术总监李明辉博士等双方领导和专家出席签约仪式。

根据协议，双方将本着"优势互补、资源共享、协同创新、共同发展"的原则，在功率半导体器件设计与仿真、宽禁带半导体材料与器件、功率模块封装与可靠性、集成电路设计与应用等多个方向开展深度合作。合作内容包括共建联合实验室、联合申报国家及省部级科研项目、研究生联合培养、企业技术骨干研修培训等。

哈尔滨工业大学是我国电子信息领域的重要高等学府，在半导体材料、微电子器件、集成电路设计等研究方向拥有雄厚的师资力量和先进的实验条件。温向津电子作为东北地区具有代表性的功率半导体企业，在产业化经验、市场渠道和客户资源方面具有独特优势。此次校企合作将实现"基础研究—技术开发—产业转化"的无缝衔接。

技术总监李明辉博士表示："与哈工大的合作将为公司的技术创新注入强大的学术支撑。联合实验室成立后，双方将首先启动1200V SiC MOSFET器件设计开发项目，力争在18个月内完成芯片设计和工艺验证，为后续产业化奠定基础。"

签约仪式后，双方代表共同参观了哈工大微纳电子研究中心和电子封装可靠性实验室，并对即将启动的合作项目进行了技术对接和规划。