近年来，在国家芯片自主可控战略和国产替代政策的强力推动下，我国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产业链各个环节均取得了长足进步。从芯片设计、晶圆制造到模块封测，国产IGBT产业链正在加速完善，产品性能与国际先进水平的差距持续缩小。

根据中国半导体行业协会功率半导体分会的统计数据，2020年国产IGBT模组在国内工业变频器市场的占有率仅为约15%，而到2025年底已提升至约40%，预计2026年底有望突破50%。在新能源汽车领域，国产车规级IGBT模组的渗透率也从2020年的不足5%快速增长至约30%，国产替代势头强劲。

推动IGBT国产替代加速的主要因素包括：一是国际地缘政治局势复杂多变，下游客户出于供应链安全考量，主动寻求国产第二供应商；二是国内晶圆制造企业持续扩充8英寸和12英寸功率半导体产线，为IGBT芯片制造提供了产能保障；三是国产IGBT器件的技术性能持续提升，已能满足大多数工业级和部分车规级应用需求。

温向津电子作为国产功率器件的积极参与者，敏锐把握了这一市场机遇。公司面向工业变频和新能源应用推出的1200V/1700V系列IGBT模块，已在多家国内知名变频器厂商和光伏逆变器厂商中实现了批量供货。接下来，公司将进一步加大车规级IGBT产品的研发和市场拓展力度，助力国产IGBT产业的快速发展。

行业专家指出，尽管国产IGBT取得了显著进展，但在高压大功率（3300V以上）和车规级可靠性方面与英飞凌、三菱等国际巨头仍存在一定差距。国内企业需要在芯片设计、工艺制造和可靠性验证等方面持续投入，才能在产业链核心环节实现真正的自主可控。