大功率双极晶体管BJT
大功率双极晶体管BJT是温向津电子面向传统电力电子和特殊工业应用保留的核心产品线，采用成熟的平面扩散工艺制造，具有高电流增益、低饱和压降、宽安全工作区（SOA）等优点。产品广泛应用于线性电源、音频放大器、焊接设备、中频感应加热等对器件线性度要求较高的场合。
High-Power Bipolar Junction Transistor
该系列产品包括NPN型和PNP型两大类，集电极-发射极电压从60V到1500V，集电极电流从1A到200A。器件采用三重扩散和多发射极结构设计，在保证高击穿电压的同时实现了优异的电流处理能力和线性特性。
产品提供TO-3、TO-220、TO-247、TO-3P、TO-264、SOT-93等多种标准封装，兼容市场主流型号。每批次产品均经过100%直流参数测试和高温老化筛选，确保产品参数的一致性和长期可靠性。
| 集电极-发射极电压VCEO | 60V - 1500V |
|---|---|
| 集电极电流IC | 1A - 200A |
| 直流电流增益hFE | 15 - 200（按型号） |
| 饱和压降VCE(sat) | 0.3V - 2.5V |
| 工作结温Tj | -55°C ~ +150°C |
| 封装形式 | TO-3 / TO-220 / TO-247 / TO-3P / TO-264 |
| 互补配对 | NPN/PNP精密配对可选 |
宽安全工作区（SOA），适合线性应用
高直流电流增益，驱动电路简单
成熟可靠的平面扩散工艺，供货稳定
NPN/PNP互补配对，满足推挽拓扑需求
