碳化硅肖特基二极管
碳化硅（SiC）肖特基二极管是温向津电子布局新一代宽禁带半导体领域的重要成果。采用第三代半导体碳化硅材料，具有零反向恢复电荷、高温稳定性优异、开关损耗极低等革命性优势。产品广泛应用于新能源汽车OBC车载充电机、光伏逆变器、服务器电源、5G通信电源等高频高效电源系统。
SiC Schottky Diode
该系列产品覆盖650V至1700V电压范围，正向电流从2A到50A。得益于SiC材料的宽禁带特性（3.26eV），器件可在175°C甚至200°C结温下稳定工作，大幅降低了系统散热需求。零反向恢复特性从根本上消除了二极管反向恢复引起的开关损耗和EMI问题。
公司建有专业的SiC器件测试平台，具备静态参数、动态特性、高温可靠性等全系列测试能力。产品通过JEDEC和AEC-Q101标准认证，为新能源汽车和工业电源客户提供高品质、高性价比的SiC器件国产替代方案。
| 额定电压VRRM | 650V / 1200V / 1700V |
|---|---|
| 正向电流IF | 2A - 50A |
| 正向压降VF | 1.35V - 1.75V（典型值） |
| 反向恢复电荷Qrr | 0nC（零反向恢复） |
| 工作结温Tj | -55°C ~ +175°C |
| 浪涌电流IFSM | 最高额定电流12倍 |
| 封装形式 | TO-220 / TO-247 / TO-252 / TO-263 |
零反向恢复电荷，彻底消除反向恢复损耗
宽禁带材料（3.26eV），高温特性优异
开关速度不受温度影响，全温范围稳定
通过车规级AEC-Q101认证，适用新能源汽车
