温向津电子半导体元器件
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瞬态抑制二极管TVS

TVS Diode

瞬态抑制二极管TVS

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瞬态抑制二极管TVS

瞬态抑制二极管TVS

瞬态抑制二极管TVS是温向津电子面向电路保护应用开发的半导体保护器件,能在极短时间(皮秒至纳秒级)内将瞬态过电压钳位在安全水平,有效保护后级精密电子元件免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲(EFT)和雷击浪涌的损害。

TVS Diode

该系列产品包括单向和双向两大类型,工作电压从3.3V到440V,峰值脉冲功率从200W到30kW。采用先进的硅雪崩二极管工艺,具有响应速度快(<1ps)、钳位电压精确、漏电流极低(<1μA)等显著特点。

产品提供SOD-123、SOD-323、SMA、SMB、SMC、DO-15、DO-201等多种封装形式,覆盖从便携式消费电子到工业电力系统的全系列保护需求。所有产品均通过IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和IEC 61000-4-5(Surge)标准测试。

工作电压VRWM3.3V - 440V
峰值脉冲功率PPP200W - 30kW
钳位电压VC精确可控,按型号
响应时间<1ps(皮秒级)
漏电流IR<1μA(典型值)
工作温度-55°C ~ +150°C
封装形式SOD / SMA / SMB / SMC / DO-15 / DO-201
皮秒级响应速度,瞬间保护后级电路
精确的钳位电压,保护阈值可控
超低漏电流,对待保护电路影响极小
全系列功率等级,覆盖消费到工业级应用
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